- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 41/27
Brevets de cette classe: 3274
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
728 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
557 |
| SK Hynix Inc. | 12611 |
433 |
| Kioxia Corporation | 10879 |
354 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3375 |
328 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5474 |
302 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1214 |
114 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
73 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2489 |
50 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
39 |
| Applied Materials, Inc. | 20514 |
38 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11873 |
26 |
| Intel NDTM US LLC | 458 |
23 |
| Lam Research Corporation | 5676 |
20 |
| Tokyo Electron Limited | 13884 |
16 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
16 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1681 |
9 |
| Sunrise Memory Corporation | 218 |
9 |
| Monolithic 3D Inc. | 339 |
8 |
| Intel Corporation | 47162 |
7 |
| Autres propriétaires | 124 |