• Sections
  • H - Électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 41/27

Brevets de cette classe: 3274

Historique des publications depuis 10 ans

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170
643
654
770
602
421
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
158605
728
Micron Technology, Inc.
27666
557
SK Hynix Inc.
12611
433
Kioxia Corporation
10879
354
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3375
328
Sandisk Technologies Inc.
5474
302
Lodestar Licensing Group LLC
1214
114
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48629
73
Macronix International Co., Ltd.
2489
50
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2695
39
Applied Materials, Inc.
20514
38
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11873
26
Intel NDTM US LLC
458
23
Lam Research Corporation
5676
20
Tokyo Electron Limited
13884
16
Sandisk Technologies LLC
1423
16
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1681
9
Sunrise Memory Corporation
218
9
Monolithic 3D Inc.
339
8
Intel Corporation
47162
7
Autres propriétaires 124