• Sections
  • H - électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 41/27

Brevets de cette classe: 1792

Historique des publications depuis 10 ans

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386
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53
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
138729
400
Micron Technology, Inc.
25791
276
SK Hynix Inc.
10784
213
Kioxia Corporation
10120
213
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
2323
182
Sandisk Technologies Inc.
4945
160
Lodestar Licensing Group LLC
882
68
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
40583
42
Applied Materials, Inc.
17720
29
Macronix International Co., Ltd.
2555
28
Lam Research Corporation
4995
18
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11080
17
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2351
17
Sandisk Technologies LLC
1456
14
Intel NDTM US LLC
425
12
Monolithic 3D Inc.
299
8
Tokyo Electron Limited
12111
7
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1266
7
Winbond Electronics Corp.
1251
6
Pedisem Co. Ltd.
13
5
Autres propriétaires 70