• Sections
  • H - Électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 41/27

Brevets de cette classe: 2810

Historique des publications depuis 10 ans

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170
624
573
740
602
89
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
151303
634
Micron Technology, Inc.
27172
465
SK Hynix Inc.
11894
345
Kioxia Corporation
10521
302
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3050
277
Sandisk Technologies Inc.
5184
263
Lodestar Licensing Group LLC
1150
112
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46560
66
Macronix International Co., Ltd.
2527
48
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2657
38
Applied Materials, Inc.
19628
36
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11602
23
Lam Research Corporation
5433
20
Sandisk Technologies LLC
1453
19
Tokyo Electron Limited
13363
16
Intel NDTM US LLC
449
16
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1503
9
Monolithic 3D Inc.
324
8
Sunrise Memory Corporation
214
7
Winbond Electronics Corp.
1349
6
Autres propriétaires 100