- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 41/27
Brevets de cette classe: 1792
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 138729 |
400 |
Micron Technology, Inc. | 25791 |
276 |
SK Hynix Inc. | 10784 |
213 |
Kioxia Corporation | 10120 |
213 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2323 |
182 |
Sandisk Technologies Inc. | 4945 |
160 |
Lodestar Licensing Group LLC | 882 |
68 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
42 |
Applied Materials, Inc. | 17720 |
29 |
Macronix International Co., Ltd. | 2555 |
28 |
Lam Research Corporation | 4995 |
18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11080 |
17 |
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2351 |
17 |
Sandisk Technologies LLC | 1456 |
14 |
Intel NDTM US LLC | 425 |
12 |
Monolithic 3D Inc. | 299 |
8 |
Tokyo Electron Limited | 12111 |
7 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1266 |
7 |
Winbond Electronics Corp. | 1251 |
6 |
Pedisem Co. Ltd. | 13 |
5 |
Autres propriétaires | 70 |