• Sections
  • H - Électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 43/27

Brevets de cette classe: 4319

Historique des publications depuis 10 ans

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3
18
292
860
855
1087
978
225
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
152304
946
Kioxia Corporation
10586
617
SK Hynix Inc.
11996
546
Micron Technology, Inc.
27221
543
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
3083
494
Sandisk Technologies Inc.
5307
366
Lodestar Licensing Group LLC
1160
130
Macronix International Co., Ltd.
2523
93
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46813
81
JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent
2657
58
Applied Materials, Inc.
19849
53
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11631
36
Sunrise Memory Corporation
214
35
Sandisk Technologies LLC
1453
33
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1510
29
Tokyo Electron Limited
13452
23
Lam Research Corporation
5471
20
Intel NDTM US LLC
451
19
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1414
18
Monolithic 3D Inc.
328
18
Autres propriétaires 161