- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 43/27
Brevets de cette classe: 4319
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152304 |
946 |
| Kioxia Corporation | 10586 |
617 |
| SK Hynix Inc. | 11996 |
546 |
| Micron Technology, Inc. | 27221 |
543 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3083 |
494 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5307 |
366 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1160 |
130 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2523 |
93 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46813 |
81 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
58 |
| Applied Materials, Inc. | 19849 |
53 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11631 |
36 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
35 |
| Sandisk Technologies LLC | 1453 |
33 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1510 |
29 |
| Tokyo Electron Limited | 13452 |
23 |
| Lam Research Corporation | 5471 |
20 |
| Intel NDTM US LLC | 451 |
19 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1414 |
18 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
18 |
| Autres propriétaires | 161 |