- Sections
- G - Physique
- G03F - Production par voie photomécanique de surfaces texturées, p. ex. pour l'impression, pour le traitement de dispositifs semi-conducteursmatériaux à cet effetoriginaux à cet effetappareillages spécialement adaptés à cet effet
- G03F 1/74 - Réparation ou correction des défauts dans un masque par un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p. ex. réparation ou correction de défauts par un faisceau d'ions focalisé
Détention brevets de la classe G03F 1/74
Brevets de cette classe: 119
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Carl Zeiss SMT GmbH | 3339 |
50 |
| Hoya Corporation | 2717 |
14 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
9 |
| D2s, Inc. | 199 |
4 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1187 |
3 |
| Carl Zeiss SMS Ltd. | 56 |
3 |
| Toppan Photomask Co., Ltd. | 34 |
3 |
| Hitachi High-Tech Analysis Corporation | 285 |
3 |
| Intel Corporation | 47122 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 20406 |
2 |
| V Technology Co., Ltd. | 380 |
2 |
| ASML Netherlands B.V. | 7939 |
1 |
| Bruker Nano, Inc. | 381 |
1 |
| Carl Zeiss SMS GmbH | 46 |
1 |
| IMS Nanofabrication GmbH | 61 |
1 |
| KLA-Tencor Corporation | 2518 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1031 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1733 |
1 |
| Carl Zeiss SMT Inc. | 9 |
1 |
| Autres propriétaires | 5 |