- Sections
- G - Physique
- G03F - Production par voie photomécanique de surfaces texturées, p. ex. pour l'impression, pour le traitement de dispositifs semi-conducteursmatériaux à cet effetoriginaux à cet effetappareillages spécialement adaptés à cet effet
- G03F 1/74 - Réparation ou correction des défauts dans un masque par un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p. ex. réparation ou correction de défauts par un faisceau d'ions focalisé
Détention brevets de la classe G03F 1/74
Brevets de cette classe: 104
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Carl Zeiss SMT GmbH | 2973 |
38 |
| Hoya Corporation | 2745 |
14 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42549 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145630 |
7 |
| Hitachi High-Tech Science Corporation | 291 |
3 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1231 |
3 |
| Carl Zeiss SMS Ltd. | 47 |
3 |
| D2s, Inc. | 176 |
3 |
| Toppan Photomask Co., Ltd. | 42 |
3 |
| Intel Corporation | 46960 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 18565 |
2 |
| V Technology Co., Ltd. | 385 |
2 |
| ASML Netherlands B.V. | 7371 |
1 |
| Bruker Nano, Inc. | 337 |
1 |
| Carl Zeiss SMS GmbH | 53 |
1 |
| IMS Nanofabrication GmbH | 59 |
1 |
| KLA-Tencor Corporation | 2544 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1033 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1770 |
1 |
| Carl Zeiss SMT Inc. | 9 |
1 |
| Autres propriétaires | 5 |