- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV du tableau périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p. ex. des matériaux de dopage
Détention brevets de la classe H01L 21/18
Brevets de cette classe: 793
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Soitec | 1028 |
87 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10941 |
54 |
| EV Group E. Thallner GmbH | 406 |
47 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43258 |
39 |
| Tokyo Electron Limited | 12877 |
34 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147501 |
17 |
| International Business Machines Corporation | 61433 |
17 |
| Infineon Technologies AG | 8250 |
15 |
| Intel Corporation | 47143 |
13 |
| Kioxia Corporation | 10387 |
13 |
| Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 769 |
11 |
| Micron Technology, Inc. | 26183 |
10 |
| Applied Materials, Inc. | 18861 |
10 |
| S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | 221 |
10 |
| Invensas Bonding Technologies, Inc. | 136 |
10 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 199 |
9 |
| Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | 362 |
9 |
| Nikon Corporation | 7213 |
8 |
| Frontgrade Colorado Springs LLC | 49 |
8 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10102 |
7 |
| Autres propriétaires | 365 |