- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/50 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/50
Brevets de cette classe: 226
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27235 |
48 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152534 |
47 |
| SK Hynix Inc. | 12014 |
23 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3097 |
23 |
| Kioxia Corporation | 10680 |
19 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5317 |
14 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46877 |
12 |
| Sandisk Technologies LLC | 1451 |
12 |
| Applied Materials, Inc. | 19863 |
6 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1163 |
4 |
| Intel NDTM US LLC | 451 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2522 |
2 |
| Pedisem Co. Ltd. | 13 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 13459 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 4418 |
1 |
| Lam Research Corporation | 5479 |
1 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1808 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1511 |
1 |
| Winbond Electronics Corp. | 1368 |
1 |
| Windbond Electronics Corp. | 61 |
1 |
| Autres propriétaires | 4 |