- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Détention brevets de la classe C23C 16/455
Brevets de cette classe: 12312
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Applied Materials, Inc. | 20325 |
1820 |
| Tokyo Electron Limited | 13742 |
1096 |
| Lam Research Corporation | 5605 |
993 |
| ASM IP Holding B.V. | 2378 |
993 |
| Kokusai Electric Corporation | 2208 |
744 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157039 |
220 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48140 |
220 |
| Versum Materials US, LLC | 676 |
185 |
| Entegris, Inc. | 2003 |
162 |
| Picosun Oy | 161 |
131 |
| Beneq Oy | 245 |
129 |
| L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | 4108 |
121 |
| Jusung Engineering Co., Ltd. | 490 |
120 |
| Aixtron SE | 333 |
116 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 38470 |
75 |
| Soulbrain Co., Ltd. | 285 |
74 |
| Adeka Corporation | 1375 |
71 |
| UChicago Argonne, LLC | 949 |
60 |
| Merck Patent GmbH | 5725 |
57 |
| BASF SE | 21292 |
56 |
| Autres propriétaires | 4869 |