- Sections
- H - Électricité
- H01J - Tubes à décharge électrique ou lampes à décharge électrique
- H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
Détention brevets de la classe H01J 37/317
Brevets de cette classe: 2834
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| NuFlare Technology, Inc. | 888 |
330 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1222 |
307 |
| Applied Materials, Inc. | 19391 |
266 |
| Axcelis Technologies, Inc. | 425 |
251 |
| ASML Netherlands B.V. | 7615 |
175 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46308 |
112 |
| Sumitomo Heavy Industries ION Technology Co., Ltd. | 119 |
96 |
| Mapper Lithography IP B.V. | 132 |
77 |
| Entegris, Inc. | 1924 |
53 |
| Hitachi High-Technologies Corporation | 1995 |
37 |
| Nissin ION Equipment Co., Ltd. | 91 |
34 |
| D2s, Inc. | 187 |
33 |
| IMS Nanofabrication GmbH | 61 |
29 |
| Hitachi High-Tech Corporation | 5508 |
29 |
| FEI Company | 1003 |
28 |
| Advanced ION Beam Technology, Inc. | 70 |
26 |
| mi2-factory GmbH | 34 |
26 |
| Praxair Technology, Inc. | 1270 |
21 |
| Advantest Corporation | 1751 |
19 |
| Exogenesis Corporation | 69 |
19 |
| Autres propriétaires | 866 |