- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Détention brevets de la classe C23C 16/458
Brevets de cette classe: 3559
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Applied Materials, Inc. | 18383 |
723 |
Tokyo Electron Limited | 12511 |
362 |
Lam Research Corporation | 5169 |
280 |
ASM IP Holding B.V. | 2024 |
173 |
Kokusai Electric Corporation | 1955 |
165 |
Aixtron SE | 315 |
79 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42036 |
74 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 143812 |
61 |
Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | 159 |
37 |
Picosun Oy | 142 |
34 |
Veeco Instruments Inc. | 326 |
34 |
Sumco Corporation | 1126 |
32 |
Samsung Display Co., Ltd. | 34170 |
30 |
Jusung Engineering Co., Ltd. | 432 |
28 |
NuFlare Technology, Inc. | 836 |
26 |
Eugene Technology Co., Ltd. | 174 |
23 |
LPE S.p.A. | 74 |
21 |
Beneq Oy | 244 |
19 |
Siltronic AG | 420 |
19 |
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 566 |
18 |
Autres propriétaires | 1321 |