- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliquesrevêtement de matériaux avec des matériaux métalliquestraitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitutionrevêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
Détention brevets de la classe C23C 16/48
Brevets de cette classe: 609
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Applied Materials, Inc. | 20406 |
90 |
| Tokyo Electron Limited | 13824 |
28 |
| ASM IP Holding B.V. | 2401 |
26 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
15 |
| Quantum Elements Development, Inc. | 18 |
13 |
| Free Form Fibers, LLC | 39 |
12 |
| ASML Netherlands B.V. | 7939 |
11 |
| Versum Materials US, LLC | 677 |
11 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
10 |
| Kokusai Electric Corporation | 2230 |
10 |
| FEI Company | 1054 |
9 |
| Utica Leaseco, LLC Assignee | 103 |
8 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1187 |
7 |
| Lam Research Corporation | 5642 |
7 |
| Dynetics, Inc. | 11 |
6 |
| Metox International, Inc | 16 |
6 |
| International Business Machines Corporation | 62671 |
5 |
| Carl Zeiss SMT GmbH | 3339 |
5 |
| The Aerospace Corporation | 418 |
5 |
| Aixtron SE | 336 |
5 |
| Autres propriétaires | 320 |